报告题目：铜表面石墨烯CVD生长的氢氧调控
　　报告时间：2017年9月15日（星期五）下午14：00
　　报告地点：赛博南楼403-1会议室
　　报告人：于广辉
　　报告人简介：
　　于广辉博士，中科院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室研究员，博士生导师。1999年在中科院长春物理所凝聚态物理专业获得博士学位，1999-2002在日本千叶大学从事博士后研究，曾获千叶大学“Nanohana Venture competition”奖励。长期从事宽禁带氮化物材料以及石墨烯及过渡金属硫化物等二维材料的研究工作，作为课题负责人承担过863、973、国家重大专项、国家自然科学基金等科研项目十余项。在高质量石墨烯薄膜材料的制备与应用研究方面，担任国家02重大专项“晶圆级石墨烯材料与器件研究”项目中的石墨烯材料制备课题负责人。设计并建立了12英寸石墨烯生长用CVD设备，建立的大面积石墨烯薄膜的生长与转移技术。提出了多种石墨烯薄膜的掺杂改性方法；通过与器件单位合作，制备出截止频率超过290GHz的FET器件。相关结果在APL、carbon、nanoscale、nature communication等主流杂志共发表SCI论文50多篇，申请发明专利40多项，其中已授权20项。
　　报告内容简介：
　　化学气相沉积（CVD）是制备石墨烯薄膜的重要方法，具有大面积、高质量、低成本的特点。生长气氛中的氢气以及氩气中的氧气杂质对于石墨烯薄膜的制备具有重要影响，我们通过对于石墨烯生长不同阶段中的氢氧组分的调控，揭示了氢氧对于石墨烯的成核、缺陷、形貌等因素的影响机理，相关结果将有助于实现高质量石墨烯薄膜的可控制备。

光学与电子科技学院
2017年9月14日